Artikel

heise.deheise.de am 2019-03-21 07:30

HBM2E Flashbolt: Schneller Samsung-Speicher mit 410 GByte/s pro Chip

Samsung hat im Rahmen der GTC 2019 HBM2E "Flashbolt" angekündigt, der doppelt so viel Speicherplatz und 33 Prozent mehr Transferrate bietet wie der ...

Verwandte Nachrichten

Experimentelle, automatisiserte Zusammenfassung

Diese Nachricht enthält Erwähnungen von Samsungs Produktmarketing, Nvidias Tesla und auch zu Carsten Spille und JEDEC High Bandwidth Memory, High-Bandwidth Memory und zu SK Hynix, von heise.de